AOTF11S65L

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AOTF11S65L概述

TO-220F N-CH 650V 11A

N-Channel 650V 11A Tc 31W Tc Through Hole TO-220-3F


得捷:
MOSFET N-CH 650V 11A TO220-3F


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 650V 11A 3-Pin3+Tab TO-220F T/R


AOTF11S65L中文资料参数规格
技术参数

极性 N-CH

耗散功率 31W Tc

漏源极电压Vds 650 V

连续漏极电流Ids 11A

上升时间 20 ns

输入电容Ciss 646pF @100VVds

下降时间 19 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 31W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Not Recommended

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买AOTF11S65L
型号: AOTF11S65L
制造商: Alpha & Omega Semiconductor 万代半导体
描述:TO-220F N-CH 650V 11A

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