AS4C512M8D3A-12BIN

AS4C512M8D3A-12BIN概述

DRAM 4G 1.5V 800MHz 512M x 8 DDR3

SDRAM - DDR3 存储器 IC 4Gb(512M x 8) 并联 800 MHz 20 ns 78-FBGA(9x10.5)


得捷:
IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA


贸泽:
DRAM 4G 1.5V 800MHz 512M x 8 DDR3


TME:
Memory; DDR3,SDRAM; 512Mx8bit; 1.5V; 800MHz; FBGA78; -40÷85°C


AS4C512M8D3A-12BIN中文资料参数规格
技术参数

时钟频率 800 MHz

存取时间 20 ns

工作温度Max 95 ℃

工作温度Min 40 ℃

电源电压 1.425V ~ 1.575V

电源电压Max 1.575 V

电源电压Min 1.425 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 FBGA-78

外形尺寸

封装 FBGA-78

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 95℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

数据手册

在线购买AS4C512M8D3A-12BIN
型号: AS4C512M8D3A-12BIN
描述:DRAM 4G 1.5V 800MHz 512M x 8 DDR3
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