AS4C512M8D3-12BIN和AS4C512M8D3A-12BIN

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 AS4C512M8D3-12BIN AS4C512M8D3A-12BIN IS43TR85120A-125KBLI-TR

描述 DDR DRAM, 512MX8, CMOS, PBGA78, 9 X 10.5MM, 1.2MM HEIGHT, ROHS COMPLIANT, FBGA-78DRAM 4G 1.5V 800MHz 512M x 8 DDR34G, 1.5V, DDR3, 512Mx8, 1600MT/s @ 11-11-11, 78 ball BGA (9mm x10.5mm) RoHS, IT, T&R

数据手册 ---

制造商 Alliance Memory (联盟记忆) Alliance Memory (联盟记忆) Integrated Silicon Solution(ISSI)

分类 RAM芯片RAM芯片存储芯片

基础参数对比

封装 TFBGA-78 FBGA-78 BGA-78

安装方式 - Surface Mount Surface Mount

引脚数 - - 78

电源电压 1.425V ~ 1.575V 1.425V ~ 1.575V 1.425V ~ 1.575V

位数 - - 8

存取时间 - 20 ns 20 ns

存取时间(Max) - - 20 ns

工作温度(Max) - 95 ℃ 95 ℃

工作温度(Min) - 40 ℃ -40 ℃

电源电压(Max) - 1.575 V 1.575 V

电源电压(Min) - 1.425 V 1.425 V

时钟频率 - 800 MHz -

封装 TFBGA-78 FBGA-78 BGA-78

工作温度 -40℃ ~ 95℃ -40℃ ~ 95℃ -40℃ ~ 95℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tray Tray Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free 无铅 无铅

ECCN代码 - - EAR99

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