BF1109,215参数规格_中文资料_数据手册PDF_引脚图-锐单商城

BF1109,215图片1

BF1109,215图片2

BF1109,215中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 200 mW

漏源极电压Vds 11 V

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 200 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 4

封装 SOT-143-4

外形尺寸

封装 SOT-143-4

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买BF1109,215

型号： BF1109,215

制造商： NXP 恩智浦

描述：射频金属氧化物半导体场效应RF MOSFET晶体管 Dual N-Channel 11V 30mA 200mW

替代型号BF1109,215

型号/品牌

代替类型

替代型号对比

BF1109,215

NXP 恩智浦

当前型号

当前型号

54140

恩智浦

功能相似

BF1109,215和54140的区别