对比图
型号 54140 BF1109,215 BF1109
描述 TRANSISTOR UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, MOSFET, PLASTIC, SMD, 4 PIN, FET RF Small Signal射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Dual N-Channel 11V 30mA 200mWN-channel dual-gate MOS-FETs
数据手册 ---
制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦) Philips (飞利浦)
分类 MOS管
安装方式 - Surface Mount Surface Mount
引脚数 - 4 -
封装 - SOT-143-4 SOT-143
耗散功率 - 200 mW -
漏源极电压(Vds) - 11 V -
工作温度(Max) - 150 ℃ -
工作温度(Min) - -65 ℃ -
耗散功率(Max) - 200 mW -
封装 - SOT-143-4 SOT-143
产品生命周期 Obsolete Obsolete Unknown
包装方式 - Tape & Reel (TR) -
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 - Lead Free -