BSZ165N04NSGATMA1

INFINEON  BSZ165N04NSGATMA1  晶体管, MOSFET, N沟道, 31 A, 40 V, 13.8 mohm, 10 V, 2 V

I OptiMOS™3 功率 MOSFET，高达 40V

OptiMOS™产品提供高效能封装，以解决最具挑战性的应用，在有限空间内提供完全的灵活性。 这些 Infineon 产品经的设计符合并超过计算机应用中更严格的下一代电压调节标准的能效和功率密度要求。

快速切换 MOSFET，用于 SMPS

优化技术，用于直流/直流转换器

符合目标应用的 JEDEC1 规格

N 通道，逻辑电平

极佳的栅极电荷 x R DSon 产品 FOM

极低导通电阻 R DSon

无铅电镀

得捷:
MOSFET N-CH 40V 8.9A/31A TSDSON

欧时:
Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET BSZ165N04NSGATMA1, 31 A, Vds=40 V, 8引脚 TSDSON封装

贸泽:
MOSFET N-Ch 40V 31A TSDSON-8 OptiMOS 3

e络盟:
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 40 V, 31 A, 0.0138 ohm, PG-TSDSON, 表面安装

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 40V 8.9A 8-Pin TSDSON EP T/R

安富利:
Trans MOSFET N-CH 40V 8.9A 8-Pin TSDSON T/R

TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 20A; 50W; PG-TSDSON-8

Verical:
Trans MOSFET N-CH 40V 8.9A 8-Pin TSDSON EP T/R

Newark:
# INFINEON  BSZ165N04NSGATMA1  MOSFET Transistor, N Channel, 31 A, 40 V, 13.8 mohm, 10 V, 2 V

Win Source:
MOSFET N-CH 40V 8.9A/31A TSDSON / N-Channel 40 V 8.9A Ta, 31A Tc 2.1W Ta, 25W Tc Surface Mount PG-TSDSON-8