Infineon OptiMOS™ 功率 MOSFET 系列OptiMOS™ 产品提供高性能封装，可处理最具挑战性的应用，在有限空间提供全部灵活性。 这些 Infineon 产品经的设计符合并超过计算机应用中更严格的下一代电压调节标准的能效和功率密度要求。 N 通道 - 增强模式 符合汽车 AEC Q101 规格 MSL1 高达 260°C 峰值回流焊接 175°C 工作温度 绿色封装（无铅） 超低 Rdson ### MOSFET 晶体管，InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能
OptiMOS™ 双电源 MOSFET
欧时:
### Infineon OptiMOS™ 功率 MOSFET 系列OptiMOS™ 产品提供高性能封装，可处理最具挑战性的应用，在有限空间提供全部灵活性。 这些 Infineon 产品经的设计符合并超过计算机应用中更严格的下一代电压调节标准的能效和功率密度要求。 N 通道 - 增强模式 符合汽车 AEC Q101 规格 MSL1 高达 260°C 峰值回流焊接 175°C 工作温度 绿色封装（无铅） 超低 Rdson ### MOSFET 晶体管，InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能
贸泽:
MOSFET N-Ch 30V 25A,30A WISON-8
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 30V 11.1A/13.8A 8-Pin WISON EP T/R
安富利:
Trans MOSFET N-CH 30V 11.1A/13.8A 8-Pin WISON T/R
Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 30V 11.1A/13.8A 8-Pin WISON EP T/R
通道数 2
极性 N-CH
耗散功率 1.9 W
阈值电压 1.6 V
漏源极电压Vds 30 V
连续漏极电流Ids 11.1A/13.8A
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 2.3 W
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 TSDSON-8
长度 3.1 mm
宽度 3.1 mm
高度 0.9 mm
封装 TSDSON-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99