BSC010NE2LS

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BSC010NE2LS概述

INFINEON  BSC010NE2LS  晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 25 V, 0.0008 ohm, 10 V, 2 V

OptiMOS™ 功率 MOSFET 系列

OptiMOS™ 产品提供高性能封装,可处理最具挑战性的应用,在有限空间提供全部灵活性。 这些 Infineon 产品经的设计符合并超过计算机应用中更严格的下一代电压调节标准的能效和功率密度要求。

N 通道 - 增强模式

符合汽车 AEC Q101 规格

MSL1 高达 260°C 峰值回流焊接

175°C 工作温度

绿色封装(无铅)

超低 Rdson


立创商城:
BSC010NE2LS


贸泽:
MOSFET N-Ch 25V 100A TDSON-8 OptiMOS


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 25V 39A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R


安富利:
Trans MOSFET N-CH 25V 39A 8-Pin TDSON T/R


Verical:
Trans MOSFET N-CH 25V 39A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R


儒卓力:
**N-CH 25V 100A 1mOhm SSO8 **


罗切斯特:
Trans MOSFET N-CH 25V 39A 8-Pin TDSON EP


力源芯城:
25V,100A,N沟道功率MOSFET


DeviceMart:
MOSFET N-CH 25V 39A TDSON-8


Win Source:
MOSFET N-CH 25V 39A TDSON-8


BSC010NE2LS中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

针脚数 8

漏源极电阻 0.0008 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 96 W

阈值电压 2 V

漏源极电压Vds 25 V

漏源击穿电压 25 V

连续漏极电流Ids 39A

上升时间 6 ns

输入电容Ciss 4700pF @12VVds

额定功率Max 2.5 W

下降时间 4.4 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 2.5W Ta, 96W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 PG-TDSON-8

外形尺寸

长度 5.9 mm

宽度 5.15 mm

高度 1.27 mm

封装 PG-TDSON-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Mainboard, VRD/VRM, Onboard charger

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

香港进出口证 NLR

数据手册

BSC010NE2LS引脚图与封装图
BSC010NE2LS引脚图
BSC010NE2LS封装焊盘图
在线购买BSC010NE2LS
型号: BSC010NE2LS
描述:INFINEON  BSC010NE2LS  晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 25 V, 0.0008 ohm, 10 V, 2 V
替代型号BSC010NE2LS
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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英飞凌

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