BSC010NE2LS和BSC010NE2LSI

对比图

型号 BSC010NE2LS BSC010NE2LSI

描述 INFINEON  BSC010NE2LS  晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 25 V, 0.0008 ohm, 10 V, 2 VINFINEON  BSC010NE2LSI  晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 25 V, 0.0009 ohm, 10 V, 2 V

数据手册 --

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8

封装 PG-TDSON-8 PG-TDSON-8

通道数 1 1

针脚数 8 8

漏源极电阻 0.0008 Ω 0.0009 Ω

极性 N-Channel N-Channel

耗散功率 96 W 96 W

阈值电压 2 V 2 V

漏源极电压(Vds) 25 V 25 V

漏源击穿电压 25 V -

连续漏极电流(Ids) 39A 38A

上升时间 6 ns 6.2 ns

输入电容(Ciss) 4700pF @12V(Vds) 4200pF @12V(Vds)

额定功率(Max) 2.5 W 96 W

下降时间 4.4 ns 4.6 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 2.5W (Ta), 96W (Tc) 2.5W (Ta), 96W (Tc)

长度 5.9 mm 6.1 mm

宽度 5.15 mm 5.15 mm

高度 1.27 mm 1.1 mm

封装 PG-TDSON-8 PG-TDSON-8

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃

产品生命周期 Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17

ECCN代码 EAR99 EAR99

香港进出口证 NLR -