高压晶体管PNP硅 High Voltage Transistors PNP Silicon
集电极-基极反向击穿电压VBRCBOCollector-Base VoltageVCBO| -350V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压VBRCEOCollector-Emitter VoltageVCEO| −300V 集电极连续输出电流ICCollector CurrentIC| -1A 截止频率fTTranstion FrequencyfT| 15MHz 直流电流增益hFEDC Current GainhFE| 30~120 管压降VCE（sat）Collector-Emitter SaturationVoltage| -2V 耗散功率PcPoWer Dissipation| 1.5W Description & Applications| High Voltage Transistor PNP Silicon 描述与应用| 高电压 PNP硅
额定电压DC -300 V
额定电流 -1.00 A
极性 PNP
耗散功率 1.5 mW
击穿电压集电极-发射极 300 V
集电极最大允许电流 1A
最小电流放大倍数hFE 30 @50mA, 10V
额定功率Max 1.5 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
安装方式 Surface Mount
封装 TO-261-4
长度 6.5 mm
宽度 3.5 mm
高度 1.57 mm
封装 TO-261-4
工作温度 -65℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
BSP16T1 ON Semiconductor 安森美 | 当前型号 | 当前型号 |
BSP16T1G 安森美 | 类似代替 | BSP16T1和BSP16T1G的区别 |
BSP16 恩智浦 | 功能相似 | BSP16T1和BSP16的区别 |