BC849CLT1

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BC849CLT1概述

通用晶体管( NPN硅) General Purpose TransistorsNPN Silicon

Features • Moisture Sensitivity Level: 1 • ESD Rating − Human Body Model: >4000 V ESD Rating − Machine Model: >400 V • These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant


得捷:
TRANS NPN 30V 0.1A SOT23-3


贸泽:
Bipolar Transistors - BJT 100mA 30V NPN


艾睿:
Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 3-Pin SOT-23 T/R


BC849CLT1中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 30.0 V

额定电流 100 mA

极性 NPN

耗散功率 225 mW

增益频宽积 100 MHz

击穿电压集电极-发射极 30 V

集电极最大允许电流 0.1A

最小电流放大倍数hFE 420 @2mA, 5V

额定功率Max 300 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 55 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOT-23-3

外形尺寸

长度 2.9 mm

宽度 1.3 mm

高度 0.94 mm

封装 SOT-23-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Cut Tape CT

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead

数据手册

在线购买BC849CLT1
型号: BC849CLT1
描述:通用晶体管( NPN硅) General Purpose TransistorsNPN Silicon
替代型号BC849CLT1
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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