对比图
描述 通用晶体管（ NPN硅） General Purpose Transistors(NPN Silicon)ON SEMICONDUCTOR BC849CLT1G 单晶体管 双极, NPN, 30 V, 100 MHz, 225 mW, 100 mA, 420 hFE
数据手册 --
制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)
分类 双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 Surface Mount Surface Mount
引脚数 - 3
封装 SOT-23-3 SOT-23-3
频率 - 100 MHz
额定电压(DC) 30.0 V 30.0 V
额定电流 100 mA 100 mA
针脚数 - 3
极性 NPN NPN
耗散功率 225 mW 225 mW
击穿电压(集电极-发射极) 30 V 30 V
集电极最大允许电流 0.1A 0.1A
最小电流放大倍数(hFE) 420 @2mA, 5V 420 @2mA, 5V
额定功率(Max) 300 mW 300 mW
直流电流增益(hFE) - 420
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) 55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) - 300 mW
增益频宽积 100 MHz -
封装 SOT-23-3 SOT-23-3
长度 2.9 mm -
宽度 1.3 mm -
高度 0.94 mm -
材质 - Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Unknown Active
包装方式 Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC
REACH SVHC版本 - 2015/12/17
ECCN代码 - EAR99