BQ4011MA-100

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BQ4011MA-100概述

32Kx8非易失SRAM 32Kx8 Nonvolatile SRAM

NVSRAM(非易失性 SRAM) 存储器 IC 256Kb(32K x 8) 并联 28-DIP 模块(18.42x37.72)


得捷:
IC NVSRAM 256KBIT PARALLEL 28DIP


艾睿:
NVRAM NVSRAM Parallel 256Kbit 5V 28-Pin DIP Module


安富利:
NVRAM NVSRAM Parallel 256K-Bit 5V 28-Pin DIP Module


Verical:
NVRAM NVSRAM Parallel 256Kbit 5V 28-Pin DIP Module


Win Source:
32Kx8 Nonvolatile SRAM


BQ4011MA-100中文资料参数规格
技术参数

电源电压DC 5.00 V

供电电流 50 mA

时钟频率 100 GHz

存取时间 100 ns

内存容量 32000 B

存取时间Max 100 ns

工作温度Max 70 ℃

工作温度Min 0 ℃

电源电压 4.75V ~ 5.5V

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 28

封装 DIP-28

外形尺寸

高度 9.53 mm

封装 DIP-28

物理参数

工作温度 0℃ ~ 70℃

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

BQ4011MA-100引脚图与封装图
BQ4011MA-100引脚图
BQ4011MA-100封装图
BQ4011MA-100封装焊盘图
在线购买BQ4011MA-100
型号: BQ4011MA-100
制造商: TI 德州仪器
描述:32Kx8非易失SRAM 32Kx8 Nonvolatile SRAM
替代型号BQ4011MA-100
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

BQ4011MA-100

TI 德州仪器

当前型号

当前型号

M48Z35-70PC1

意法半导体

功能相似

BQ4011MA-100和M48Z35-70PC1的区别

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