BQ4011MA-100和M48Z35-70PC1

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BQ4011MA-100 M48Z35-70PC1

描述 32Kx8非易失SRAM 32Kx8 Nonvolatile SRAMZEROPOWER® 静态 RAM,STMicroelectronicsZEROPOWER® 非易失 RAM 产品集成了低功率 SRAM 与电源故障控制电路和长寿命锂电池。### SRAM(静态随机存取存储器)

数据手册 --

制造商 TI (德州仪器) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 存储芯片存储芯片

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole

引脚数 28 28

封装 DIP-28 DIP-28

电源电压(DC) 5.00 V 5.00 V, 5.50 V (max)

供电电流 50 mA 50 mA

时钟频率 100 GHz 70.0 GHz

存取时间 100 ns 70 ns

内存容量 32000 B 32000 B

存取时间(Max) 100 ns 70 ns

工作温度(Max) 70 ℃ 70 ℃

工作温度(Min) 0 ℃ 0 ℃

电源电压 4.75V ~ 5.5V 4.75V ~ 5.5V

工作电压 - 4.75V ~ 5.5V

针脚数 - 28

电源电压(Max) - 5.5 V

电源电压(Min) - 4.75 V

高度 9.53 mm 9.65 mm

封装 DIP-28 DIP-28

长度 - 39.88 mm

宽度 - 18.34 mm

工作温度 0℃ ~ 70℃ 0℃ ~ 70℃

产品生命周期 Obsolete Active

包装方式 Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC

REACH SVHC版本 - 2015/12/17

ECCN代码 - EAR99

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