INFINEON BSC080P03LS G 场效应管, MOSFET, P沟道, -30V, -30A, TDSON-8
OptiMOS™P P 通道功率 MOSFET
**Infineon** **OptiMOS**™ P 通道电源 MOSFET 设计用于提供增强功能,以便达到质量指标。 特征包括超低切换损耗、通态电阻、雪崩额定值以及达到汽车解决方案的 AEC 标准。 应用包括:直流-直流、电动机控制、汽车和 eMobility。
增强型模式
雪崩等级
低切换和传导功率损耗
无铅引线电镀;符合 RoHS 标准
标准封装
OptiMOS™ P 通道系列:温度范围为 -55°C 至 +175°C
### MOSFET ,Infineon
Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合,其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能,实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。
极性 P-Channel
耗散功率 2.5W Ta, 89W Tc
漏源极电压Vds 30 V
输入电容Ciss 6140pF @15VVds
额定功率Max 89 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 2.5W Ta, 89W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 PG-TDSON-8
长度 6.35 mm
宽度 5.35 mm
高度 1.1 mm
封装 PG-TDSON-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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BSC080P03LS G Infineon 英飞凌 | 当前型号 | 当前型号 |
SI7491DP-T1-GE3 威世 | 功能相似 | BSC080P03LS G和SI7491DP-T1-GE3的区别 |