SI7491DP-T1-GE3和BSC080P03LS G

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 SI7491DP-T1-GE3 BSC080P03LS G BSC080P03LSGAUMA1

描述 VISHAY  SI7491DP-T1-GE3  场效应管, MOSFET, P通道, -30V, 18A, SOICINFINEON  BSC080P03LS G  场效应管, MOSFET, P沟道, -30V, -30A, TDSON-8INFINEON  BSC080P03LSGAUMA1  场效应管, MOSFET, P沟道, -30V, -30A, TDSON-8

数据手册 ---

制造商 Vishay Semiconductor (威世) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 - Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 - PG-TDSON-8 TDSON-8

额定功率 - - 89 W

通道数 - - 1

针脚数 - - 8

漏源极电阻 0.013 Ω - 0.0061 Ω

极性 P-Channel P-Channel P-Channel

耗散功率 1.8 W 2.5W (Ta), 89W (Tc) 89 W

漏源极电压(Vds) -30.0 V 30 V 30 V

连续漏极电流(Ids) 18.0 A - 16A

上升时间 - - 87 ns

输入电容(Ciss) - 6140pF @15V(Vds) 4620pF @15V(Vds)

下降时间 - - 108 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) - 2.5W (Ta), 89W (Tc) 2500 mW

额定功率(Max) - 89 W -

长度 - 6.35 mm 5.9 mm

宽度 - 5.35 mm 5.15 mm

高度 - 1.1 mm 1.27 mm

封装 - PG-TDSON-8 TDSON-8

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃

产品生命周期 - - Not Recommended for New Designs

包装方式 - Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/12/17

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