BQ4011YMA-150参数规格_中文资料_数据手册PDF

BQ4011YMA-150概述

32Kx8非易失SRAM 32Kx8 Nonvolatile SRAM

NVSRAM（非易失性 SRAM）存储器 IC 256Kb（32K x 8）并联 150 ns 28-DIP 模块（18.42x37.72）

得捷:
IC NVSRAM 256KBIT PARALLEL 28DIP

艾睿:
NVRAM NVSRAM Parallel 256Kbit 5V 28-Pin DIP Module

Chip1Stop:
NVRAM NVSRAM Parallel 256K-Bit 5V 28-Pin DIP Module

Verical:
NVRAM NVSRAM Parallel 256Kbit 5V 28-Pin DIP Module

BQ4011YMA-150中文资料参数规格

技术参数

电源电压DC 5.00 V

供电电流 50 mA

存取时间 150 ns

存取时间Max 150 ns

工作温度Max 70 ℃

工作温度Min 0 ℃

电源电压 4.5V ~ 5.5V

电源电压Max 5.5 V

电源电压Min 4.5 V

封装参数

引脚数 28

封装 DIP-28

外形尺寸

封装 DIP-28

物理参数

工作温度 0℃ ~ 70℃ TA

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

BQ4011YMA-150引脚图与封装图

在线购买BQ4011YMA-150

型号： BQ4011YMA-150

制造商： TI 德州仪器

描述：32Kx8非易失SRAM 32Kx8 Nonvolatile SRAM

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