BQ4011YMA-150和BQ4011YMA-150N

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BQ4011YMA-150 BQ4011YMA-150N

描述 32Kx8非易失SRAM 32Kx8 Nonvolatile SRAM32Kx8非易失SRAM 32Kx8 Nonvolatile SRAM

数据手册 --

制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器)

分类 存储芯片存储芯片

基础参数对比

引脚数 28 -

封装 DIP-28 DIP-28

安装方式 - Through Hole

电源电压(DC) 5.00 V 5.00 V

供电电流 50 mA -

存取时间 150 ns 150 ns

存取时间(Max) 150 ns -

工作温度(Max) 70 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) 0 ℃ 40 ℃

电源电压 4.5V ~ 5.5V 4.5V ~ 5.5V

电源电压(Max) 5.5 V 5.5 V

电源电压(Min) 4.5 V 4.5 V

封装 DIP-28 DIP-28

长度 - 37.72 mm

宽度 - 18.42 mm

高度 - 9.4 mm

工作温度 0℃ ~ 70℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA)

产品生命周期 Obsolete Not Recommended for New Designs

包装方式 Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free

ECCN代码 EAR99 EAR99

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