BAS 21 E6327参数规格_中文资料_数据手册PDF

BAS 21 E6327概述

INFINEON BAS 21 E6327 Small Signal Diode, High Voltage, Single, 200V, 250mA, 1V, 50ns, 1A

The is a silicon Switching Diode features high breakdown voltage. Suitable for high-speed switching applications.

.: 350mW Total power dissipation

.: 250V Breakdown voltage

.: 5pF Capacitance

Due to technical requirements, components may contain dangerous substances.

BAS 21 E6327中文资料参数规格

技术参数

反向恢复时间 50 ns

正向电流 250 mA

最大正向浪涌电流（Ifsm） 1 A

正向电压Max 1 V

工作温度Max 150 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOD-323-2

外形尺寸

长度 2.9 mm

宽度 1.25 mm

高度 1 mm

封装 SOD-323-2

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 150℃

其他

包装方式 Cut Tape CT

制造应用 Power Management

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17

数据手册

在线购买BAS 21 E6327

型号： BAS 21 E6327

制造商： Infineon 英飞凌

描述：INFINEON BAS 21 E6327 Small Signal Diode, High Voltage, Single, 200V, 250mA, 1V, 50ns, 1A

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替代型号BAS 21 E6327

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BAS 21 E6327 Infineon 英飞凌	当前型号	当前型号
BAS21,215 恩智浦	功能相似	BAS 21 E6327和BAS21,215的区别

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BAS21,215

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