INFINEON BSC159N10LSF G 晶体管, MOSFET, N沟道, 63 A, 100 V, 12.2 mohm, 10 V, 1.85 V
是一款100V N沟道功率MOSFET, 适用于高效率高功率密度SMPS应用。与其他相比, 这款MOSFET的RDS 导通和FOM 品质因数均降低了30％。OptiMOS™ MOSFET具有业界超低的RDS on。该器件非常适合高频开关应用, 以及DC-DC转换器。
SP000379614
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- 优秀的开关性能
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- 环保型
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- 高效能
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- 高功率密度
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- 需要较少的并联
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- 占用极小的电路板空间
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- 易于设计
通道数 1
针脚数 8
漏源极电阻 0.0122 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 114 W
阈值电压 1.85 V
漏源极电压Vds 100 V
漏源击穿电压 100 V
上升时间 24 ns
输入电容Ciss 2500pF @50VVds
额定功率Max 114 W
下降时间 6 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 114W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 PG-TDSON-8
长度 5.9 mm
宽度 5.15 mm
高度 1.27 mm
封装 PG-TDSON-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Not Recommended for New Designs
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 电机驱动与控制, Power Management, Communications & Networking, Audio, 通信与网络, 电源管理, Motor Drive & Control, 工业, Industrial, 音频
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
BSC159N10LSF G Infineon 英飞凌 | 当前型号 | 当前型号 |
FDMS3662 飞兆/仙童 | 功能相似 | BSC159N10LSF G和FDMS3662的区别 |