BUK653R5-55C

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BUK653R5-55C中文资料参数规格
技术参数

针脚数 3

漏源极电阻 3.3 mΩ

极性 N-Channel

耗散功率 263 W

阈值电压 2.3 V

漏源极电压Vds 55 V

工作温度Max 175 ℃

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220

外形尺寸

封装 TO-220

其他

产品生命周期 Unknown

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 PB free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

数据手册

在线购买BUK653R5-55C
型号: BUK653R5-55C
制造商: NXP 恩智浦
描述:NXP  BUK653R5-55C  晶体管, MOSFET, N沟道, 120 A, 55 V, 3.3 mohm, 10 V, 2.3 V

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