BUK9Y19-55B

BUK9Y19-55B图片1
BUK9Y19-55B图片2
BUK9Y19-55B图片3
BUK9Y19-55B图片4
BUK9Y19-55B中文资料参数规格
技术参数

极性 N-Channel

耗散功率 85.0 W

连续漏极电流Ids 46.0 A

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 4

其他

产品生命周期 Unknown

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买BUK9Y19-55B
型号: BUK9Y19-55B
制造商: NXP 恩智浦
描述:N沟道的TrenchMOS ™逻辑电平FET N-channel TrenchMOS⑩ logic level FET
替代型号BUK9Y19-55B
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

BUK9Y19-55B

NXP 恩智浦

当前型号

当前型号

BUK9Y19-55B,115

安世

功能相似

BUK9Y19-55B和BUK9Y19-55B,115的区别

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台