对比图
型号 BUK9Y19-55B BUK9Y19-55B,115
描述 N沟道的TrenchMOS ™逻辑电平FET N-channel TrenchMOS⑩ logic level FET晶体管, MOSFET, N沟道, 46 A, 55 V, 0.0173 ohm, 10 V, 1.5 V
数据手册 --
制造商 NXP (恩智浦) Nexperia (安世)
分类 MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount
引脚数 4 5
封装 - SOT-669
针脚数 - 4
漏源极电阻 - 0.0173 Ω
耗散功率 85.0 W 85 W
阈值电压 - 1.5 V
输入电容 - 1494 pF
漏源极电压(Vds) - 55 V
上升时间 - 180 ns
输入电容(Ciss) - 1992pF @25V(Vds)
额定功率(Max) - 85 W
下降时间 - 134 ns
工作温度(Max) - 175 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃
耗散功率(Max) - 85W (Tc)
极性 N-Channel -
连续漏极电流(Ids) 46.0 A -
长度 - 5 mm
封装 - SOT-669
工作温度 - -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Unknown Active
包装方式 - Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free 无铅