BUZ901D

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BUZ901D中文资料参数规格
技术参数

漏源极电阻 0.75 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 250 W

阈值电压 1.5 V

漏源极电压Vds 200 V

连续漏极电流Ids 16.0 A

工作温度Max 150 ℃

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 2

封装 TO-3

外形尺寸

封装 TO-3

其他

产品生命周期 Obsolete

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

数据手册

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型号: BUZ901D
制造商: Semelab
描述:SEMELAB BUZ901D MOSFET Transistor, N Channel, 16A, 200V, 750mohm, 1.5V

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