INFINEON BSD840NH6327XTSA1 场效应管, MOSFET, 双路, N沟道, 20V, 0.88A, SOT-363-6
OptiMOS™2 功率 MOSFET 系列
Infineon 得捷:
MOSFET 2N-CH 20V 0.88A SOT363
欧时:
Infineon OptiMOS 2 系列 双 Si N沟道 MOSFET BSD840NH6327XTSA1, 880 mA, Vds=20 V, 6引脚 SOT-363 SC-88封装
立创商城:
2个N沟道 20V 880mA
贸泽:
MOSFET N-Ch 20V 880mA SOT-363-6
e络盟:
双路场效应管, MOSFET, BRT, N沟道, 20 V, 880 mA, 0.27 ohm, SOT-363, 表面安装
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 20V 0.88A Automotive 6-Pin SOT-363 T/R
安富利:
Trans MOSFET N-CH 20V 0.88A 6-Pin SOT-363 T/R
Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 20V 0.88A Automotive 6-Pin SOT-363 T/R
TME:
Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 0.88A; 0.5W; SOT363
Verical:
Trans MOSFET N-CH 20V 0.88A Automotive 6-Pin SOT-363 T/R
Newark:
MOSFET, DUAL N CH, 20V, 0.88A, SOT-363-6
Win Source:
MOSFET 2N-CH 20V 0.88A SOT363
额定功率 0.5 W
通道数 2
针脚数 6
漏源极电阻 0.27 Ω
极性 Dual N-Channel
耗散功率 500 mW
阈值电压 550 mV
漏源极电压Vds 20 V
漏源击穿电压 ±20 V
连续漏极电流Ids 0.88A
上升时间 2.2 ns
输入电容Ciss 55pF @10VVds
额定功率Max 500 mW
下降时间 0.9 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 500 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 SOT-363-6
长度 2 mm
宽度 1.25 mm
高度 0.9 mm
封装 SOT-363-6
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Industrial, 车用, 电源管理, Onboard charger, 通信与网络, 工业, Motor Drive & Control, 电机驱动与控制, Automotive, Consumer Electronics, 消费电子产品, Communications & Networking, Power Management
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17