BTS282Z E3230

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BTS282Z E3230概述

Infineon TEMPFET™ MOSFET with Thermal Switch The Infineon TEMPFET™ is a logic level N-channel power MOSFET with an integrated on-chip thermal sensor which will operate when the chip temperature exceeds 160°C. The anode and cathode of the temperature sensing thyristor accessible and isolated from the power MOSFET. MOSFET 晶体管,Infineon Infineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能

TEMPFET™ MOSFET,带热控开关

Infineon TEMPFET™ 是逻辑电平 N 通道功率 MOSFET,带集成片上热传感器,该传感器可在芯片温度超过 160°C 时操作。 温度感应闸流的阳极和阴极可从功率 MOSFET 进行访问和隔离。

### MOSFET 晶体管,Infineon

Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合,其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能,实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。

BTS282Z E3230中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 49.0 V

额定电流 1.70 A

通道数 1

漏源极电阻 6.5 mΩ

耗散功率 300 W

输入电容 4.80 nF

栅电荷 232 nC

漏源极电压Vds 49 V

漏源击穿电压 49 V

连续漏极电流Ids 80.0 A

上升时间 37 ns

输入电容Ciss 4800pF @25VVds

下降时间 36 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -40 ℃

耗散功率Max 300W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 7

封装 TO-220-7

外形尺寸

长度 10 mm

宽度 4.4 mm

高度 15.65 mm

封装 TO-220-7

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

制造应用 MOSFET with temperature sensor

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买BTS282Z E3230
型号: BTS282Z E3230
描述:Infineon TEMPFET™ MOSFET with Thermal Switch The Infineon TEMPFET™ is a logic level N-channel power MOSFET with an integrated on-chip thermal sensor which will operate when the chip temperature exceeds 160°C. The anode and cathode of the temperature sensing thyristor accessible and isolated from the power MOSFET. MOSFET 晶体管,Infineon Infineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能
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