BZV55-B18

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BZV55-B18概述

500mW,BZV55 系列,NXP SemiconductorsNXP 500mW 表面安装 SMT 齐纳二极管,具有较宽的击穿电压范围。### 齐纳二极管,NXP Semiconductors

• Voltage regulator diodes BZV55 series • Total power dissipation: max. 500 mW • Two tolerance series: ±2%, and approx. ±5% • Non-repetitive peak reverse power dissipation:max. 40 W. • Low voltage stabilizers or voltage references.


欧时:
### 齐纳二极管 500mW,BZV55 系列,NXP SemiconductorsNXP 500mW 表面安装 SMT 齐纳二极管,具有较宽的击穿电压范围。### 齐纳二极管,NXP Semiconductors


BZV55-B18中文资料参数规格
技术参数

稳压值 18 V

工作温度Max 200 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 500 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 2

封装 SOD-80

外形尺寸

高度 3.7 mm

封装 SOD-80

物理参数

温度系数 14.4 mV/℃

其他

产品生命周期 Unknown

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

数据手册

在线购买BZV55-B18
型号: BZV55-B18
制造商: NXP 恩智浦
描述:500mW,BZV55 系列,NXP Semiconductors NXP 500mW 表面安装 SMT 齐纳二极管,具有较宽的击穿电压范围。 ### 齐纳二极管,NXP Semiconductors
替代型号BZV55-B18
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

BZV55-B18

NXP 恩智浦

当前型号

当前型号

BZV55-B18,115

恩智浦

完全替代

BZV55-B18和BZV55-B18,115的区别

BZV55-B18T/R

恩智浦

功能相似

BZV55-B18和BZV55-B18T/R的区别

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