BZV55-B18和BZV55-B18,115

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BZV55-B18 BZV55-B18,115 BZV55-B18,135

描述 500mW,BZV55 系列,NXP SemiconductorsNXP 500mW 表面安装 (SMT) 齐纳二极管,具有较宽的击穿电压范围。### 齐纳二极管,NXP SemiconductorsNXP  BZV55-B18,115  单管二极管 齐纳, 18 V, 500 mW, SOD-80C, 2 %, 2 引脚, 200 °C18V, 0.4W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE-2

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦) NXP (恩智浦)

分类 齐纳二极管齐纳二极管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount -

引脚数 2 2 -

封装 SOD-80 SOD-80 -

容差 - ±2 % -

针脚数 - 2 -

正向电压 - 900mV @10mA -

极性 - NPN -

耗散功率 - 500 mW -

测试电流 - 5 mA -

稳压值 18 V 18 V -

正向电压(Max) - 900mV @10mA -

额定功率(Max) - 500 mW -

工作温度(Max) 200 ℃ 200 ℃ -

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -

耗散功率(Max) 500 mW 500 mW -

封装 SOD-80 SOD-80 -

高度 3.7 mm - -

工作温度 - -65℃ ~ 200℃ -

温度系数 14.4 mV/℃ 14.4 mV/K -

产品生命周期 Unknown Active Unknown

包装方式 - Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free -

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

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