BZT52H-C8V2

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BZT52H-C8V2中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 830 mW

测试电流 5 mA

稳压值 8.7 V

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 830 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 2

封装 SOD-123F

外形尺寸

长度 2.7 mm

宽度 1.7 mm

高度 1.2 mm

封装 SOD-123F

物理参数

温度系数 6.2 mV/K

其他

产品生命周期 Unknown

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买BZT52H-C8V2
型号: BZT52H-C8V2
制造商: NXP 恩智浦
描述:830mW,BZT52H 系列,NXP Semiconductors 通用齐纳二极管高达 830mW 齐纳电压范围内的严格容差 表面安装外壳,SOD-123F ### 齐纳二极管,NXP Semiconductors
替代型号BZT52H-C8V2
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

BZT52H-C8V2

NXP 恩智浦

当前型号

当前型号

BZT52H-C8V2,115

安世

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