BZT52H-C8V2和BZT52H-C8V2,115

对比图

型号 BZT52H-C8V2 BZT52H-C8V2,115 BZT52H-C8V2,135

描述 830mW，BZT52H 系列，NXP Semiconductors通用齐纳二极管高达 830mW 齐纳电压范围内的严格容差 表面安装外壳，SOD-123F ### 齐纳二极管，NXP SemiconductorsNexperia BZT52H-C8V2,115 单路 齐纳二极管, 8.7V 5% 830 mW, 2引脚 SOD-123F封装Zener Diode

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) Nexperia (安世) Nexperia (安世)

分类 齐纳二极管

安装方式 Surface Mount Surface Mount -

引脚数 2 2 -

封装 SOD-123F SOD-123F -

耗散功率 830 mW 375 mW -

测试电流 5 mA 5 mA -

稳压值 8.7 V 8.2 V -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -

耗散功率(Max) 830 mW 830 mW -

容差 - ±5 % -

针脚数 - 2 -

正向电压 - 900mV @10mA -

正向电压(Max) - 900mV @10mA -

额定功率(Max) - 375 mW -

长度 2.7 mm 2.7 mm -

宽度 1.7 mm 1.7 mm -

高度 1.2 mm 1.2 mm -

封装 SOD-123F SOD-123F -

温度系数 6.2 mV/K 4.7 mV/K -

工作温度 - -65℃ ~ 150℃ -

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 - Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant -

含铅标准 Lead Free 无铅 -