BSC883N03LS G

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BSC883N03LS G中文资料参数规格
技术参数

极性 N-Channel

漏源极电压Vds 34 V

上升时间 4.4 ns

输入电容Ciss 2800pF @15VVds

额定功率Max 57 W

下降时间 4 ns

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TDSON-8

外形尺寸

长度 5.9 mm

宽度 5.15 mm

高度 1.27 mm

封装 TDSON-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买BSC883N03LS G
型号: BSC883N03LS G
制造商: Infineon 英飞凌
描述:Trans MOSFET N-CH 34V 17A 8Pin TDSON EP

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