BSP123L6327

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BSP123L6327中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 100 V

额定电流 370 mA

通道数 1

极性 N-Channel

输入电容 70.0 pF

栅电荷 2.40 nC

漏源极电压Vds 100 V

连续漏极电流Ids 380 mA, 370 mA

上升时间 5.00 ns

输入电容Ciss 70pF @25VVds

额定功率Max 1.79 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 4

封装 SOT-223-3

外形尺寸

宽度 3.5 mm

封装 SOT-223-3

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

数据手册

在线购买BSP123L6327
型号: BSP123L6327
制造商: Infineon 英飞凌
描述:MOSFET N-CH 100V 370mA SOT223
替代型号BSP123L6327
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