BSP123E6327和BSP123L6327

对比图

型号 BSP123E6327 BSP123L6327 BSP123E-6327

描述 MOSFET N-CH 100V 370mA SOT223MOSFET N-CH 100V 370mA SOT223Power Field-Effect Transistor, 0.38A I(D), 100V, 10ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管

封装 SOT-223-4 SOT-223-3 -

安装方式 - Surface Mount -

引脚数 - 4 -

封装 SOT-223-4 SOT-223-3 -

宽度 - 3.5 mm -

产品生命周期 Obsolete Obsolete Obsolete

包装方式 - Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant -

含铅标准 Lead Free Lead Free -

REACH SVHC标准 - No SVHC -

额定电压(DC) - 100 V -

额定电流 - 370 mA -

通道数 - 1 -

极性 - N-Channel -

输入电容 - 70.0 pF -

栅电荷 - 2.40 nC -

漏源极电压(Vds) - 100 V -

连续漏极电流(Ids) - 380 mA, 370 mA -

上升时间 - 5.00 ns -

输入电容(Ciss) - 70pF @25V(Vds) -

额定功率(Max) - 1.79 W -