BCR583E6327中文资料参数规格 技术参数
频率 150 MHz
极性 PNP
耗散功率 330 mW
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 500mA
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 SOT-23
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
在线购买BCR583E6327 型号： BCR583E6327
制造商：
Infineon
英飞凌
描述：SOT-23 PNP 50V 500mA
替代型号BCR583E6327 |
型号/品牌
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代替类型
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替代型号对比
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BCR583E6327
Infineon 英飞凌
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当前型号
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