BCR133TE6327

BCR133TE6327概述

1个NPN-预偏置 100mA 50V

Pre-Biased Bipolar Transistor BJT NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 130 MHz 200 mW Surface Mount PG-SOT23-3-11


得捷:
BIPOLAR DIGITAL TRANSISTOR


立创商城:
1个NPN-预偏置 100mA 50V


Win Source:
TRANS PREBIAS NPN 250MW SC75


BCR133TE6327中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 50.0 V

额定电流 100 mA

极性 NPN

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 100mA

耗散功率Max 250 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SC-75

外形尺寸

封装 SC-75

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买BCR133TE6327
型号: BCR133TE6327
制造商: Infineon 英飞凌
描述:1个NPN-预偏置 100mA 50V

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