BFR31.215

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BFR31.215中文资料参数规格
技术参数

极性 N-Channel

耗散功率 250 mW

连续漏极电流Ids 5.00 mA

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

封装 SOT-23-3

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

数据手册

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型号: BFR31.215
制造商: NXP 恩智浦
描述:Transistor: N-JFET; unipolar; 25V; 10mA; 0.25W1/4W; SOT23

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