BSP250.115

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BSP250.115中文资料参数规格
技术参数

额定功率 5 W

极性 P-Channel

耗散功率 5.00 W

漏源极电压Vds -30.0 V

连续漏极电流Ids -2.80 mA

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Cut Tape CT

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

数据手册

在线购买BSP250.115
型号: BSP250.115
制造商: NXP 恩智浦
描述:Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3A; 5W; SOT223

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