BG3130E6327

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BG3130E6327中文资料参数规格
技术参数

频率 800 MHz

额定电压DC 55.0 V

额定电流 25 mA

输入电容 1.90 pF

漏源极电压Vds 8.00 V

连续漏极电流Ids 25.0 mA

增益 24 dB

测试电流 14 mA

额定电压 8 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOT-363-6

外形尺寸

封装 SOT-363-6

其他

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

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型号: BG3130E6327
制造商: Infineon 英飞凌
描述:MOSFET N-CH DUAL 8V SOT-363

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