BF 2030W E6814中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 8.00 V
额定电流 40.0 mA
耗散功率 200 mW
输入电容 2.80 pF
漏源极电压Vds 8.00 V
连续漏极电流Ids 40.0 mA
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 200 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 4
封装 SOT-343
外形尺寸
长度 2 mm
宽度 1.25 mm
高度 0.9 mm
封装 SOT-343
物理参数
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃
其他
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
在线购买BF 2030W E6814
型号： BF 2030W E6814
制造商：
Infineon
英飞凌
描述：射频金属氧化物半导体场效应RF MOSFET晶体管 Silicon N-Channel MOSFET Tetrode 5V