BUT11APX

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BUT11APX中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 1.00 kV

额定电流 5.00 A

极性 NPN

击穿电压集电极-发射极 450 V

集电极最大允许电流 5A

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-220

外形尺寸

封装 TO-220

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

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型号: BUT11APX
制造商: NXP 恩智浦
描述:硅扩散型功率晶体管 Silicon Diffused Power Transistor

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