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BA12004B图片1

BA12004B中文资料参数规格

技术参数

极性 NPN

击穿电压集电极-发射极 60 V

集电极最大允许电流 0.5A

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 DIP

外形尺寸

封装 DIP

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

数据手册

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型号： BA12004B

制造商： ROHM Semiconductor 罗姆半导体

描述：高电压，大电流达林顿晶体管阵列 High voltage, high current Darlington transistor array