BC859CLT3

BC859CLT3中文资料参数规格
技术参数

极性 PNP

击穿电压集电极-发射极 30 V

集电极最大允许电流 0.1A

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOT-23

外形尺寸

封装 SOT-23

其他

产品生命周期 Obsolete

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

数据手册

在线购买BC859CLT3
型号: BC859CLT3
制造商: ON Semiconductor 安森美
描述:通用晶体管 General Purpose Transistors
替代型号BC859CLT3
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

BC859CLT3

ON Semiconductor 安森美

当前型号

当前型号

BC859C

安森美

功能相似

BC859CLT3和BC859C的区别

BC859CLT3G

安森美

功能相似

BC859CLT3和BC859CLT3G的区别

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台