BC859CLT3和BC859CLT3G

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BC859CLT3 BC859CLT3G BC859C

描述 通用晶体管 General Purpose Transistors通用晶体管PNP硅 General Purpose Transistors PNP SiliconGeneral Purpose Applications, 30V, 100mA, 330mW, B= 420~800, > 250MHz

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装 SOT-23 SOT-23 SOT-23

极性 PNP PNP -

击穿电压(集电极-发射极) 30 V 30 V -

集电极最大允许电流 0.1A 0.1A -

封装 SOT-23 SOT-23 SOT-23

产品生命周期 Obsolete Obsolete Obsolete

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台