BU1506DX

BU1506DX中文资料参数规格
技术参数

极性 NPN

击穿电压集电极-发射极 700 V

集电极最大允许电流 5A

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-220

外形尺寸

封装 TO-220

其他

产品生命周期 Unknown

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

数据手册

在线购买BU1506DX
型号: BU1506DX
制造商: NXP 恩智浦
描述:硅扩散型功率晶体管 Silicon Diffused Power Transistor
替代型号BU1506DX
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