BU1506DX和BU506DF

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BU1506DX BU506DF 2SD2627LS

描述 硅扩散型功率晶体管 Silicon Diffused Power Transistor扩散硅功率晶体管 Silicon diffused power transistorsNPN Triple Diffused Planar Silicon Transistor

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦) Sanyo Semiconductor (三洋)

分类

基础参数对比

封装 TO-220 TO-220 TO-220

安装方式 Through Hole Through Hole -

封装 TO-220 TO-220 TO-220

产品生命周期 Unknown Unknown Obsolete

极性 NPN NPN -

击穿电压(集电极-发射极) 700 V 700 V -

集电极最大允许电流 5A 5A -

RoHS标准 RoHS Compliant - -

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台