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BUK9E06-55B中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 55.0 V

额定电流 75.0 A

极性 N-CH

耗散功率 258 W

漏源极电压Vds 55 V

连续漏极电流Ids 146A

上升时间 95 ns

下降时间 106 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-262-3

外形尺寸

长度 10.3 mm

宽度 4.5 mm

高度 9.4 mm

封装 TO-262-3

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买BUK9E06-55B

型号： BUK9E06-55B

制造商： NXP 恩智浦

描述：N沟道FET的TrenchMOS N-channel TrenchMOS FET

替代型号BUK9E06-55B

型号/品牌

代替类型

替代型号对比

BUK9E06-55B

NXP 恩智浦

当前型号

当前型号

BUK9E4R4-40B,127

恩智浦

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BUK9E06-55B和BUK9E4R4-40B,127的区别

BUK9E06-55B,127

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