BUK9E06-55B和BUK9E4R4-40B,127

对比图

型号 BUK9E06-55B BUK9E4R4-40B,127 BUK9E06-55B,127

描述 N沟道FET的TrenchMOS N-channel TrenchMOS FETI2PAK N-CH 40V 174AI2PAK N-CH 55V 146A

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦) NXP (恩智浦)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

封装 TO-262-3 TO-262-3 TO-262-3

极性 N-CH N-CH N-CH

耗散功率 258 W 254 W 258W (Tc)

漏源极电压(Vds) 55 V 40 V 55 V

连续漏极电流(Ids) 146A 174A 146A

输入电容(Ciss) - 7124pF @25V(Vds) 7565pF @25V(Vds)

额定功率(Max) - 254 W 258 W

耗散功率(Max) - 254W (Tc) 258W (Tc)

额定电压(DC) 55.0 V - -

额定电流 75.0 A - -

上升时间 95 ns - -

下降时间 106 ns - -

工作温度(Max) 175 ℃ - -

工作温度(Min) -55 ℃ - -

封装 TO-262-3 TO-262-3 TO-262-3

长度 10.3 mm - -

宽度 4.5 mm - -

高度 9.4 mm - -

工作温度 - -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Obsolete Active

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free 无铅 无铅