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CZT3019 TR中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 2 W

击穿电压集电极-发射极 80 V

最小电流放大倍数hFE 100 @150mA, 10V

额定功率Max 2 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 2000 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 4

封装 TO-261-4

外形尺寸

封装 TO-261-4

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -65℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买CZT3019 TR

型号： CZT3019 TR

制造商： Central Semiconductor

描述：双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT Small Signal Transistor NPN

替代型号CZT3019 TR

型号/品牌

代替类型

替代型号对比

CZT3019 TR

Central Semiconductor

当前型号

当前型号

CZT3019 BK

Central Semiconductor

完全替代

CZT3019 TR和CZT3019 BK的区别

BSP43,115

安世

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