TEXAS INSTRUMENTS CSD18563Q5AT 晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 60 V, 0.0057 ohm, 10 V, 2 V
N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET，Texas Instruments
### MOSFET ，Texas Instruments
得捷:
MOSFET N-CH 60V 100A 8VSON
立创商城:
N沟道 60V 100A
德州仪器TI:
60-V, N channel NexFET™ power MOSFET, single SON 5 mm x 6 mm, 6.8 mOhm
欧时:
Texas Instruments NexFET 系列 Si N沟道 MOSFET CSD18563Q5AT, 100 A, Vds=60 V, 8引脚 VSON封装
e络盟:
晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 60 V, 0.0057 ohm, 10 V, 2 V
艾睿:
Trans MOSFET N-CH Si 60V 100A 8-Pin VSONP EP T/R
安富利:
Trans MOSFET N-CH 60V 15A 8-Pin VSON T/R
TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 116W; VSONP8 5x6mm
Verical:
Trans MOSFET N-CH Si 60V 100A 8-Pin VSONP EP T/R
Newark:
# TEXAS INSTRUMENTS CSD18563Q5AT MOSFET Transistor, N Channel, 100 A, 60 V, 0.0057 ohm, 10 V, 2 V
通道数 1
针脚数 8
漏源极电阻 0.0057 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 3.2 W
阈值电压 2 V
漏源极电压Vds 60 V
连续漏极电流Ids 100A
上升时间 6.3 ns
输入电容Ciss 1150pF @30VVds
下降时间 1.7 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 3.2W Ta, 116W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 VSON-FET-8
长度 6.1 mm
宽度 5 mm
高度 1.1 mm
封装 VSON-FET-8
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 电机驱动与控制, 电源管理
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
CSD18563Q5AT TI 德州仪器 | 当前型号 | 当前型号 |
CSD18563Q5A 德州仪器 | 类似代替 | CSD18563Q5AT和CSD18563Q5A的区别 |