对比图
型号 CSD18563Q5A CSD18563Q5AT CSD18537NQ5A
描述 60-V N 通道 NexFET 功率 MOSFET，CSD18563Q5ATEXAS INSTRUMENTS CSD18563Q5AT 晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 60 V, 0.0057 ohm, 10 V, 2 V60V N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET
数据手册 ---
制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) TI (德州仪器)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 8 8 8
封装 VSON-FET-8 VSON-FET-8 PowerTDFN-8
通道数 1 1 1
针脚数 8 8 8
漏源极电阻 0.0057 Ω 0.0057 Ω 0.01 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 116 W 3.2 W 3.2 W
阈值电压 2 V 2 V 3 V
漏源极电压(Vds) 60 V 60 V 60 V
连续漏极电流(Ids) 100A 100A -
上升时间 6.3 ns 6.3 ns 4 ns
输入电容(Ciss) 1500pF @30V(Vds) 1150pF @30V(Vds) 1480pF @30V(Vds)
下降时间 1.7 ns 1.7 ns 3.2 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 3.2W (Ta), 116W (Tc) 3.2W (Ta), 116W (Tc) 3.2W (Ta), 75W (Tc)
额定功率(Max) 3.2 W - 75 W
漏源击穿电压 - - 60 V
长度 5.8 mm 6.1 mm 6 mm
宽度 5 mm 5 mm 4.9 mm
高度 1.1 mm 1.1 mm 1 mm
封装 VSON-FET-8 VSON-FET-8 PowerTDFN-8
材质 Silicon Silicon Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 正在供货 Active 正在供货
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 Non-Compliant Non-Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead Contains Lead Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC -
REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/06/15 -
ECCN代码 - EAR99 -